碳化硅（SiC）新机遇——天岳先进深度分析

碳化硅（SiC）新机遇——天岳先进深度分析

核心观点： 除了传统的汽车电子领域，SiC材料在AI数据中心供电（SST固态变压器）和AI芯片先进封装（SiC interposer）等新场景中需求激增。天岳先进已成为全球头部竞争者，有望在2027年起迎来业绩爆发式增长。

1. SiC新增需求场景

SST固态变压器（AI数据中心供电）： SST可将13.8-35kV AC中压直接转换为800V DC输出，是SiC进入中压配电和AI数据中心供电架构的关键载体，可集成电压调节、隔离、储能接口等功能，效率更高。
SiC Interposer（AI芯片先进封装）： 结合金刚石等高导热材料，SiC interposer可提供超过800W/m·K的超高导热率（约为铜的2倍），同时匹配硅的热膨胀系数，是AI芯片直接散热、微通道冷板和器件基板的理想材料，有望成为先进封装的增量场景。

2. 公司分析：天岳先进

全球龙头地位： 2025年，公司在碳化硅衬底整体市场份额及8英寸产品市场份额均位居全球第一，已从“国内重要参与者”成长为“全球头部竞争者”。主营产品为碳化硅衬底。

业绩预测与增长点：

汽车电子仍是确定性增长方向： 800V高压平台车型渗透率提高，SiC器件在主逆变器、OBC、DC/DC转换器中的应用优势明显。
财务预测： 东北证券预测公司2026年扭亏为盈，实现归母净利润0.14亿元。2027年和2028年将迎来爆发式增长，归母净利润预计分别达到1.96亿元和4.43亿元，同比增长1340.83%和126.63%。