高德红外：在制冷型大规模探测器芯片领域取得重大突破
时间：2019-06-03 17:25 来源：股窜网 作者：gucuan 阅读：次
高德红外：在制冷型大规模探测器芯片领域取得重大突破
高德红外(002414)6月3日晚间公告，公司碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目通过科技成果评价。这是公司继掌握非制冷1280×1024@12μm探测器芯片研制技术后，在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍，打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代。
高德红外(002414)6月3日晚间公告，公司碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目通过科技成果评价。这是公司继掌握非制冷1280×1024@12μm探测器芯片研制技术后，在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍，打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代。
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